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Cerâmica de nitreto de silício:
Como diodos comuns, os diodos emissores de luz de nitreto de silício consistem em uma junção PN e também têm condutividade unidirecional. Quando uma tensão direta é aplicada ao diodo emissor de luz, os orifícios injetados da região P para a região N e os elétrons injetados da região N para a região P estão respectivamente conectados aos elétrons na região N e os orifícios vazios na região P, dentro de alguns mícrons, perto da junção PN. Recombinação do orifício, resultando em emissão espontânea de fluorescência. Os estados energéticos de elétrons e orifícios em diferentes materiais semicondutores são diferentes. Quando elétrons e orifícios se recombinam, a energia liberada é um pouco diferente, quanto mais energia liberada, mais curto o comprimento de onda da luz emitida. Comumente usados são diodos que emitem luz vermelha, verde ou amarela. A tensão de quebra reversa do diodo emissor de luz é maior que 5 volts. Sua curva característica de Volt-Amampre para a frente é muito íngreme e um resistor limitador de corrente deve ser conectado em série para controlar a corrente através do diodo.
A parte central do diodo emissor de luz é uma bolacha composta por semicondutores do tipo P e semicondutores do tipo N, e há uma camada de transição entre os semicondutores do tipo P e os semicondutores do tipo N, que é chamado de junção Pn. Na junção PN de alguns materiais semicondutores, quando os portadores minoritários injetados se recombinam com os portadores majoritários, o excesso de energia é liberado na forma de luz, convertendo diretamente a energia elétrica em energia luminosa. Quando a tensão reversa é aplicada à junção PN, é difícil para os portadores minoritários injetar, para que não emite luz. Quando está em um estado de trabalho para a frente (ou seja, uma tensão direta é aplicada às duas extremidades), quando a corrente flui do ânodo LED para o cátodo, o cristal semicondutor emite luz de cores diferentes de ultravioleta a infravermelho. A intensidade da luz está relacionada à corrente.
As peças estruturais de cerâmica de nitreto de silício podem ser usadas na fabricação de diodos emissores de luz de nitreto de silício, fornecendo suporte estrutural e garantindo a estabilidade e a durabilidade dos componentes de LED.
propriedades :
Alta dureza, alta resistência, resistência ao desgaste, resistência à corrosão, alta temperatura (1200 ° ), boa difusividade térmica, boa resistência ao choque térmico (evite a alteração da temperatura rapidamente), boa insulatividade, baixa densidade. As propriedades abrangentes são melhores na maior parte da estrutura de cerâmica.
Folha de dados ↓
Cor: preto cinza
Densidade: ＞ 3,2g/cm3
Dureza: HRA90
Dureza de Vickers (HV50): ＞ 1550 hv0.5
Módulo de elasticidade: 290GPA
Resistência à flexão: ＞ 600MPa
Resistência à compressão: 2500MPA
Módulo de elasticidade (25 ° C): 65GPa
Resistência à fratura: ＞ 6,0 mpam1/2
Temperatura máxima de uso: 1200 ° C
Condutividade térmica: 15-20 W (Mk)
Coeficiente de expansão térmica: ＞ 3.1 10-6/° C
Resistência ao choque térmico: 500 △ T ° C
Capacidade de calor especial: 700 kJ/kg.k
Força dielétrica: 1 kV/mm
Constante dielétrica: er
Resistividade de volume (20 ° C): 1,0*10 (12) ω.cm
Indústria de Aplicativos :
Máquinas, eletrônicos, semicondutores, produtos químicos, petróleo, cheiro.
Aplicação específica:
Eixo de soldagem, substrato eletrônico, êmbolo, bico, guia de slides, peças a diesel, moldagem de metal, rodas de eixo etc.
Porque escolher-nos? 1,12 anos de fábrica de cerâmica industrial de produção profissional 2. Alta qualidade produtos com baixo preço 3. Peças de alta precisão com menor tolerância 4. Tempo para a produção 5. É um grupo de equipe de P&D experiente, profissional e eficiente 6. tem uma boa reputação na China e no exterior. 7.MOQ não é limitado, a pequena quantidade é bem -vinda.
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Os produtos mostram
Perguntas frequentes
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